三星之前為了對抗英特爾的傲騰內(nèi)存,打造了 Z-NAND 閃存,性能可以說碾壓傳統(tǒng)的 NAND 閃存,此外還可以讓 GPU 直連 Z-NAND 閃存,從而獲得更加出色的性能表現(xiàn),可以說 Z-NAND 閃存就像是傳統(tǒng) NAND 閃存以及 DRAM 內(nèi)存之間的過渡體,只不過由于成本等原因,最終 Z-NAND 閃存夭折,當(dāng)然傲騰也基本上退出了歷史舞臺,不過現(xiàn)在三星計(jì)劃復(fù)活 Z-NAND 閃存,不知道是不是跟火爆的 AI 有關(guān)。
三星在 2010 年的時(shí)候就已經(jīng)提出了 Z-NAND 閃存的概念,當(dāng)時(shí)就是為了對抗英特爾的傲騰存儲,作為 DRAM 內(nèi)存與 NAND 閃存之間的過渡體,三星 Z-NAND 閃存在性能上比當(dāng)時(shí)的 SSD 速度快了不少,而如今三星也表示希望全新打造的 Z-NAND 閃存能夠擁有最高 15 倍的 NAND 閃存的速度,并且在功耗上也可以降低 80%,也就是說 Z-NAND 閃存的速度或許將會達(dá)到幾十甚至上百 GB/s。
通過分析發(fā)現(xiàn),三星 Z-NAND 閃存估計(jì)采用的是 SLC 閃存的技術(shù),因此在速度上能夠比如今的 TLC 快上很多,此外通過與 CPU 以及 GPU 直連從而取得更高的通道帶寬,只不過 Z-NAND 閃存在成本上更高,并且當(dāng)時(shí)大家對于數(shù)據(jù)傳輸速度也沒有達(dá)到今天這個(gè)程度。
只不過現(xiàn)在 AI 對于算力的需求達(dá)到了前所未有的程度,對于存儲設(shè)備的速度也提出了更高的要求,這才讓三星重新復(fù)活 Z-NAND 閃存的研發(fā),畢竟這些不差錢的 AI 廠商需要的正是強(qiáng)大的存儲設(shè)備。